八五年，机电部（如今的工y部）45所研制成功分步光刻机样机，中k院沪海光学精密机械研究所研制的“扫描式投影光刻机“通过鉴定，采用的都是436纳米g线光源，制程工艺达到15u，认为均达到gca生产的4800dsw水平，为国内大规模集成电路专用设备填补了一项空白，这是国内第一台分步投影式光刻机，在这个时期，在分步光刻机上与国外的差距不超过七年。

八十年代，国内开始大规模引进外资，用市场换技术，用空间换时间，贸工技的路线挤压了自主技术成长的空间，许多g企纷纷转型，技术下马、项目停滞、“造不如买，买不如租”的思想占据主流，其中也包括光刻机项目。

国内不少打着高科技旗号的公司沉迷在“贸易”和“加工”带来的“快钱”里不可自拔。

虽然集成电路的研发和生产是重点扶持的科研项目，但g企和合资晶圆公司纷纷进口3英寸、4英寸晶圆及3μ、2μ制程工艺的半导体生产线，国产光刻机缺乏市场竞争的优势，几家半导体设备厂全部处于亏损状态，没有研发资金的持续投入，光刻机的研发和生产停滞不前。

光刻机经历三十多年的快速发展，根据光刻机光源划分，从六十年代的第一代g-le（436n）光源、第二代i-le(365n)光源的接触式光刻机、接近式光刻机，到七十年代的第三代krf（248n）光源的步进式投影式光刻机，到八十年代的第四代arf(193n)光源的步进式扫描光刻机，设备性能不断提高，推动集成电路按照摩尔定律快速发展。

bsec中三家研究所的光刻机光源还是krf（248n），与尼康、gca、佳能等主流光刻机生产公司采用的arf（193n），差了整整一大代……

这些年，通过曙光投资公司、香江曙光投资公司、美国曙光投资公司、沪海曙光东芝晶圆公司、蔡司曙光光学仪器公司、沪海国智半导体研究院和沪海曙光通讯技术研究院，早有谋划的重生者收集和阅读了国内外大批有关光刻机等半导体技术的书籍和信息，还阅读了七十年代国内出版的《光刻掩膜板的制造》和《光致抗蚀剂的制造》等专业书籍，写下二本读书笔记和感悟，加上前世的知识积累，专业术语脱口而出，成了光刻机市场方面的“专家”。

中k院微电子研究中心副所长邓国辉因九一年主持研发成功国内第一台krf准分子激光器，被遴选为学部委员，因各方面的原因，arf准分子激光器的研发到如今还没有立项。

中k院沪海光学精密机械研究所、工y部45所和沪海光学精密机械厂共同研发的国内最先进的248n扫描投影式光刻机，制程工艺只有15μ。

nikon半导体设备公司如今批量生产8英寸晶圆和500n制程工艺的光刻机，正在研制8英寸晶圆和350n制程工艺的光刻机；其他国外主流光刻机公司批量生产6英寸晶圆和800n制程工艺的光刻机，正在研制8英寸晶圆和500n制程工艺的光刻机。

bsec从4英寸晶圆到8英寸晶圆，还需要攻克5英寸、6英寸和8英寸晶圆三道技术关口，制程工艺从15μ到500n，中间还有1μ、800n和500n三道关卡，赶上世界先进水平，任重道远！

芯片制程工艺一般以07倍的速度减小，在单位面积芯片上晶体管数量以2倍的速度增加。